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本发明涉及在由半导体材料构成的衬底（３）上具有金属层（９）的电子元件，其中在该金属层（９）与该衬底（３）之间构造了一个扩散阻断层（７），该扩散阻断层由一种材料来制造，该材料对于该金属层（９）的金属具有小的扩散系数。...
该专利属于罗伯特.博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特.博世有限公司授权不得商用。

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