温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及具有不对称缺陷区的场效应晶体管，提供用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括一个或多个半导体层，位于该一个或多个半导体层上的栅极，包括位于该一个或多个半导体层中的第一部分以及位于该一个或多个半导体层中...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。