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本发明提供一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法，它包括封装基板（1），在封装基板（1）上设有埋置槽（11）和BGA焊球（2），在埋置槽（11）内连接有多层芯片互联组件（3），在多层芯片互联组件（3）上连接有AlN基片（5），在埋置槽（...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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