温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括依次设置于衬底上的半导体有源层、第一绝缘介质层和栅电极，所述半导体有源层的材料为二维半导体材料，第一绝缘介质层是由连接在半导体有源层上的易氧化的二维半导体材料原位氧...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。