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一种激光辅助制备碳化硅薄膜的方法,包括:步骤S1:提供基材,通入原料气体,使用紫外激光束对基材表面进行扫描,使原料气体在扫描路径上沉积形成特定晶型的碳化硅晶粒;步骤S2:采用化学气相沉积工艺在沉积有特定晶型的碳化硅晶粒的基材表面进行二次沉积...该专利属于苏州精材半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州精材半导体科技有限公司授权不得商用。
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一种激光辅助制备碳化硅薄膜的方法,包括:步骤S1:提供基材,通入原料气体,使用紫外激光束对基材表面进行扫描,使原料气体在扫描路径上沉积形成特定晶型的碳化硅晶粒;步骤S2:采用化学气相沉积工艺在沉积有特定晶型的碳化硅晶粒的基材表面进行二次沉积...