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本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：在衬底上生长缓冲层材料，在激光器区、放大器区和调制器区上分别生长对应的有源材料后，覆盖第二介质掩膜，将二氧化硅材料覆盖在第二矩形介质掩膜和缓冲...
该专利属于武汉国科光领半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉国科光领半导体科技有限公司授权不得商用。

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