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提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体、与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体、配置于第三导电体及第四导电体上且在第三导电体于...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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