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本发明公开了一种单晶金刚石的单次生长时间延长方法、系统及终端,所述方法包括:获取金刚石籽晶,将所述金刚石籽晶放入MPCVD设备的反应腔体中,并对所述反应腔体进行抽真空处理以及启辉处理,得到所述金刚石籽晶的第一生长反应环境;获取预设工艺气体,...该专利属于深圳优普莱等离子体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳优普莱等离子体技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种单晶金刚石的单次生长时间延长方法、系统及终端,所述方法包括:获取金刚石籽晶,将所述金刚石籽晶放入MPCVD设备的反应腔体中,并对所述反应腔体进行抽真空处理以及启辉处理,得到所述金刚石籽晶的第一生长反应环境;获取预设工艺气体,...