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本发明公开了一种半导体结构，包括多个有源区设置在衬底上，多个栅极结构沿第一方向延伸且与有源区相交，将各有源区分成一个中间部和两个端部。多个位线结构沿第二方向延伸跨过有源区且与有源区的中间部电连接。位线结构包括外侧的第一位线结构，以及内侧的第...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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