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本发明提出了一种用于制造功率ＭＯＳＦＥＴ的方法。该方法包括制造功率ＭＯＳＦＥＴ的多个层以形成有源区域上表面，以及在该有源区域上进行化学机械抛光处理以形成基本上平坦的表面。然后，在基本上平坦的表面上进行金属化沉积处理，随后完成功率ＭＯＳＦＥＴ...
该专利属于维税-希力康克斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过维税-希力康克斯公司授权不得商用。

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