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本发明涉及一种用于制造压电或半导体结构的方法，其包括以下连续步骤：(a)提供供体衬底(11)，其包括压电或半导体层(5)，(b)提供受体衬底(12)，(c)处理该供体衬底(11)的自由表面(7)和/或该受体衬底(12)的自由表面(9)，(d...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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