温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请案涉及PECVD方法及设备。提供一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将氮化硅沉积到半导体衬底上的方法、一种包括半导体衬底的结构及一种用于通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将氮化硅沉积到半导体衬底上的PECVD设备。...
该专利属于SPTS科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SPTS科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。