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本发明公开了一种金属栅晶体管的制造方法，包括：完成金属栅工艺工艺流程以形成金属栅，金属栅中含有Cl。形成层间膜。形成接触孔，包括分步骤：进行图形化刻蚀形成接触孔开口。采用含F的等离子体进行预清洁，F在等离子体作用下会取代金属栅中的Cl并使C...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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