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本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述方法对覆盖于凸出结构上的部分第一层间介质层执行离子注入工艺，以增强部分第一层间介质层的流动性，则在执行第一回流工艺之后，经离子注入的部分第一层间介质层形成圆滑表面，有效降低了位于凸出结构上的部...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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