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提供具有在8英寸的SiC单晶基板中尚未实现的特性的SiC单晶基板。本发明的SiC单晶基板(1)是8英寸的SiC单晶基板，直径处于195～205mm的范围，厚度处于300～650μm的范围，SORI为50μm以下，且基板厚度的面内偏差为1.5...
该专利属于株式会社力森诺科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社力森诺科授权不得商用。

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