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本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一伪栅结构；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二伪栅结构；刻蚀预设高度的位于第二晶体管的第二源漏区域...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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