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化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法制造方法及图纸
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下载化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法的技术资料
文档序号:4421644
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本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体,其pH为4~5,用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨,其含有:0.1~4质量%的(A)具有10nm~100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1~3质量%的...
该专利属于JSR株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过JSR株式会社授权不得商用。
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