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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种多波长发光二极管及发光模组。多波长发光二极管包括设置多量子阱层，其沿第一方向包括产生不同波长光的至少m组发光区；多量子阱层中最靠近N型半导体层的第一发光区的第一阱层具有最高的In浓度或最小的禁带宽...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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