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本发明提供一种具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，在栅极沟槽的刻蚀过程中，将原本比较厚的作为硬掩膜的氧化层拆分成氧化层‑氮化层‑氧化层的三层结构，有效降低了沟槽刻蚀工艺中刻蚀氧化层的时间，减少沟槽内聚合物残留，进而减少甚至避免硅尖刺，从而避...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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