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本发明公开了一种全耗尽绝缘体上应变硅MOS器件及其制备方法，该器件包括：上表面沿第一方向依次设置有一浅槽沟道隔离区、第一外延槽、第二外延槽、第二浅槽沟道隔离区的SOI衬底，浅槽沟道隔离区包含隔离填充材料，外延槽内设置有外延层，外延层上设置有...
该专利属于西安石油大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安石油大学授权不得商用。

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