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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体结构，所述半导体结构上形成有键合层，所述键合层包括绝缘层和形成于所述绝缘层中的第一金属层；金属保护层，形成于所述第一金属层上，所述金属保护层的还原电位小于所述第一金属层的还原...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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