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本申请公开了一种互补场效应晶体管及其制备方法。该互补场效应晶体管，包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管与所述第二MOS管通过键合顺次集成在一起；所述第一MOS管的侧墙与所述第二MOS管的侧墙具有不同的介电常数。本申请实施例提供的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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