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本发明公开了一种可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片，涉及半导体芯片技术领域，包括背面金属，背面金属的上端设置有衬底层，衬底层的上端两侧分别设置有一号P+隔离区和二号P+隔离区，衬底层的上端中部设置有外延层，外延层的两端分别与一号P+隔离区和二...
该专利属于合肥中恒微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥中恒微半导体有限公司授权不得商用。

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