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本发明公开了一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法，属于双极器件抗辐射加固技术领域。本发明提供的双极器件抗辐照加固方法中，在双极器件制备工艺做完STI刻蚀、STI填充、STI CMP后对STI结构进行离子注入，注入的离子为氟离子、氯...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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