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本发明提出了一种高性能的量子存储器件结构，属于新型磁随机存储器领域。本发明通过构建自旋异质结利用反常霍尔效应(AHE)改变霍尔电压实现数据“0”和“1”的存储。自旋异质结由三层材料组成，自下而上分别为单晶衬底钆镓石榴石(Gd<subg...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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