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本发明涉及一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；形成第一掩膜图形，第一掩膜图形沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；形成第二掩膜图形，第二掩膜图形沿第一方向在第一掩膜图形的上方间隔排列；根据第二掩膜图形刻蚀第一掩膜图形，将第一掩膜图形划分...
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