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本发明提供了一种改善激光剥离表面粗糙度的方法，属于激光切割技术领域，所述改善激光剥离表面粗糙度的方法包括：S10：测量待加工晶圆表面的偏角θ，并确定待加工晶圆表面的法线；S20：取一晶圆样品，该晶圆样品的材质与待加工晶圆的材质相同，用激光剥...该专利属于河北同光半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种改善激光剥离表面粗糙度的方法，属于激光切割技术领域，所述改善激光剥离表面粗糙度的方法包括：S10：测量待加工晶圆表面的偏角θ，并确定待加工晶圆表面的法线；S20：取一晶圆样品，该晶圆样品的材质与待加工晶圆的材质相同，用激光剥...