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本发明涉及一种CVD单晶金刚石生长温度场稳定性提升方法及其稳定装置，在钼台的凹陷槽内开出贯穿孔，将凹陷槽内的单晶金刚石衬底与钼台紧密贴合后，在贯穿孔内注入镍基膏状钎料，真空加热焊接，通过焊接固化后的钎料将衬底牵拉与钼台的凹陷槽底面紧密接触，...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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