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本发明公开了一种具有波导埋层的SOI衬底结构及其制备方法和应用，SOI衬底结构包括：依次叠设的衬底硅层、埋氧层和顶层硅层；其中，所述埋氧层中设有波导，且所述埋氧层形成作为芯层的所述波导的包层。本发明能将性能优异的氮化硅波导同SOI上的有源器...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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