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本发明涉及一种具有分裂耦合栅结构的p‑GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底表面的缓冲层；形成于缓冲层表面的沟道层；形成于沟道层表面的势垒层；形成于势垒层表面的源极电极和漏极电极；形成于势垒层表面且位于源...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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