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本发明公开了一种一种超低VF平面肖特基二极管的加工方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤一，在N+衬底上依次制备N‑外延层和二氧化硅氧化层；步骤二，在二氧化硅氧化层通过光刻版一图形刻蚀形成保护环；步骤三，在保护环中注入B元素，并进行推...
该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。

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