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本发明公开了一种内嵌超级结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法，涉及微电子技术领域，本发明的内嵌超级结的沟槽型碳化硅辐照探测器，基于PiN结构，在第一掺杂类型外延层内间隔设置多个沟槽，沟槽内壁设置有与灵敏区不同的掺杂类型的区域，并在PiN结...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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