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本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括基板、源极区、漏极区以及栅极结构。源极区位于基板之中。漏极区位于基板之中。栅极结构设置于基板上且位于源极区与漏极区之间，包括第一子栅极结构及第二子栅极结构。第一子栅极结构邻近源极区，...
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