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本发明提出了一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法,包括诶下步骤:使用旋涂设备在芯片表面涂覆一层均匀致密的正性光刻胶;前烘:将涂覆好光刻胶的芯片放置在第一温度环境下进行烘烤;将前烘后的芯片放置在接触式光刻机样品台上并放置好掩膜版,调节WE...该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。
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本发明提出了一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法,包括诶下步骤:使用旋涂设备在芯片表面涂覆一层均匀致密的正性光刻胶;前烘:将涂覆好光刻胶的芯片放置在第一温度环境下进行烘烤;将前烘后的芯片放置在接触式光刻机样品台上并放置好掩膜版,调节WE...