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用于穿通过孔晶种金属化的中间层制造技术
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下载用于穿通过孔晶种金属化的中间层的技术资料
文档序号:43918582
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一种半导体衬底,其包括具有第一主表面和第二主表面的玻璃层、从第一主表面延伸到第二主表面的至少一个电传输通孔、以及与第一主表面、第二主表面和电传输通孔中的至少一个耦合的中间层。中间层包括金属、硅和氧。金属层与中间层键合。...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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