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一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法，涉及半导体单晶纳米点制备领域。包括以下步骤：1）选择具有与所生长材料相似晶体结构以及较小的晶格失配的半导体晶圆衬底，并清洗；2）将AAO模版转移至半导体晶圆衬底上，并用丙酮溶液溶解PMMA基...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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