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本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒...
该专利属于上海科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海科技大学授权不得商用。

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