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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括衬底及外延层，外延层包括有源层、电子阻挡层及P型层，有源层与电子阻挡层之间设有空穴注入层，空穴注入层包括沿外延方向依次沉积的第一超晶格层、镁碳共掺杂GaN复合层及...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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