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本技术提供一种副炉室及单晶炉，涉及晶体硅制备装置技术领域，包括：多个隔热环，隔热环固定于副炉室内壁，隔热环所在的平面平行于副炉室的横截面；多个进气口，进气口位于隔热环形成的隔断区间内，进气口用于外接氩气气源，如此，通过多个隔热环形成物理隔断...
该专利属于晶科能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源股份有限公司授权不得商用。

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