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本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层；真实沟道结构，其延伸穿过所述栅极结构；狭缝结构，其沿着所述栅极结构的侧壁在第一方向上延伸；接触结构，其延伸穿过所述栅极结构并且电连接到...
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