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本发明公开了一种高温pin紫外探测器，属于微电子技术领域，包括自下而上层叠设置的4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC外延层的两侧通过刻蚀形成呈...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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