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本发明属于LED显示芯片技术领域，公开了一种Micro LED显示芯片及其制备方法，本发明通过超快脉冲激光对外延片MQW层进行加工，从而使后续沉积加工制备出可以免ICP蚀刻的EBL层和P‑GaN层，使得构筑竖直分布LED显示芯片的制备方法大...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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