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本发明提供一种p‑GaN HEMT器件及制备方法，衬底层；设于衬底层上的缓冲层，缓冲层的远离衬底层的一侧面设有P型掺杂区；设于缓冲层上的沟道层，沟道层与P型掺杂区接触；设于沟道层上的势垒层、源极以及漏极，源极与漏极设于势垒层的两侧；设于势垒...
该专利属于ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司授权不得商用。

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