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一种表面凹陷纹理结构的硅基薄膜太阳能电池制造技术
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文档序号:43737744
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本发明提供的是一种表面凹陷纹理结构的硅基薄膜太阳能电池,其特征是:它由前电极层2、非晶硅层3、空穴传输层4、背电极层5依次沉积在制备好的纹理结构玻璃1的底部组成。本发明的硅基薄膜太阳能电池,其顶部的纹理结构表面形成高效的抗反射,入射太阳光6...
该专利属于桂林电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过桂林电子科技大学授权不得商用。
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