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本发明涉及一种利用量子隧穿能力提高光增益的半导体激光器件及其制备方法，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、Ga<subgt;x2</subgt;In<subgt;1‑x2</subgt;P第一...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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