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本发明公开了基于VGF工艺的用于InP晶体生长装置及生长工艺，涉及晶体制造技术领域，该生长装置包括生长架，生长架上设置有生长筒，生长筒内部设置有多个生长腔室，每个生长腔室内分别设置有生长坩埚，每个生长坩埚分别设置有籽晶载盘，生长腔室内设置有...
该专利属于青岛嘉星晶电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛嘉星晶电科技股份有限公司授权不得商用。

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