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本申请公开了一种切割道加工方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的切割道加工方法包括沿钝化层刻蚀晶圆至外延层形成第一沟槽；在第一沟槽内，通过湿法刻蚀工艺刻蚀晶圆至衬底形成第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽形成切割道。由于采用湿法刻蚀工艺对外延...
该专利属于度亘核芯光电技术（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘核芯光电技术（苏州）有限公司授权不得商用。

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