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一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括衬底（10）、外延层（20）、栅极结构（30）、源极（40）、漏极（50）以及第一介质层（60）；位于栅极结构（30）与漏极（50）之间的外延层（20）定义为外延层（20）的第一区域（A1）...该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。
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一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括衬底（10）、外延层（20）、栅极结构（30）、源极（40）、漏极（50）以及第一介质层（60）；位于栅极结构（30）与漏极（50）之间的外延层（20）定义为外延层（20）的第一区域（A1）...