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本技术公开了一种外延片及光电子器件。外延片包括异质衬底、缓冲结构层和外延层，缓冲结构层包括第一氮化物缓冲层、图形结构层、氮化物填充层、覆盖结构层和第二氮化物缓冲层，图形结构层设置在第一氮化物缓冲层上，氮化物填充层设置在图形结构层上，且氮化物...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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