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本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种基于ＺｎＯ纳米线的整流二极管的制作方法。本发明提供一种基于ＺｎＯ纳米线的整流二极管的制作方法，其步骤包括生长介质、制作ＺｎＯ纳米线定位标记、将ＺｎＯ纳米线转移并淀积在介质上、对ＺｎＯ纳米线进行定...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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